在Memcon 2024上，全球先进半导体技术领导者三星电子公布了其CXL内存模块产品组合的扩展，并展示了其最新的HBM3E技术，加强了在AI应用的高性能、高容量解决方案方面的领导地位。
在美国圣克拉拉计算机历史博物馆举行的主题演讲中，三星美国设备解决方案研究所常务副总裁 Jin-Hyeok Choi和三星DRAM产品及技术部常务副总裁 SangJoon Hwang介绍了新的存储解决方案，并讨论了如何在AI时代引领HBM和CXL创新。与三星一同登台的还有VMware by Broadcom的VCF部门产品团队副总裁Paul Turner和Red Hat的副总裁兼总经理Gunnar Hellekson，他们讨论了其软件解决方案如何与三星的硬件技术相结合，推动内存创新。
Choi表示：“如果没有存储技术的革新，AI的革新就无法继续。作为内存市场的领导者，三星很自豪能够继续推进创新，从业界最先进的CMM-B技术到强大的内存解决方案，如HBM3E，用于高性能计算和AI应用。我们致力于与合作伙伴合作，为客户服务，共同释放AI时代的全部潜力。”
三星推出了尖端的CXL DRAM内存池产品CMM-B，突显了CXL生态圈的发展势头。三星CMM-B可以容纳8台E3.S外形的CMM-D设备，提供高达2TB的容量。巨大内存容量支持每秒60 GB/s带宽和596 ns延迟，可以服务于需要高容量内存的各种应用，如AI，内存数据库（IMDB），数据分析等。
三星还与即插即用机架级IT解决方案的全球领导者美超微合作，展示了业界首个机架级内存解决方案，用于高度可扩展和可组合的分解基础设施。这种先进的解决方案利用三星的CMM-B来增加内存容量和带宽，使数据中心能够处理大量工作负载，不像标准架构缺乏现代应用程序所需的灵活性和效率。增加的内存容量和每台服务器高达60GB/s带宽的高性能可以增强需要高容量内存的各种应用，如AI，IMDB，数据分析等。
三星和博通VMware还介绍了Peaberry项目，这是世界上第一个基于FPGA的分层存储解决方案，用于管理程序，称为CXL分层存储混合模块。这种混合解决方案将DRAM和NAND介质结合在外接卡中，以应对内存管理挑战，减少停机时间，优化分层内存的调度，并最大限度地提高性能，同时显着降低总拥有成本（total cost of ownership ，简称TCO）。
Paul Turner表示：“博通旗下的VMware很高兴与三星合作，在内存领域带来新的创新。三星在内存技术方面的领先地位和VMware在软件内存分层方面的领先地位，使CXL实现了新的创新，并具有显着的TCO优势，更好地利用昂贵的DRAM资源，改进了服务器资源的整合，同时提供了出色的性能。”
此外，三星还展示了将三星的DRAM技术与CXL开放标准接口集成在一起的CMM-D技术，从而实现了CPU和内存扩展设备之间高效、低延迟的连接。全球开源软件解决方案的领军企业 Red Hat去年在业界首次成功验证了三星电子的CMM-D设备。两家公司将通过三星内存研究所继续合作，开发CXL开源和参考模型，并在一系列其他存储和内存产品上进行合作。
三星还为2024年Memcon与会者展示其最新的HBM3E 12H芯片，这是世界上第一个12层HBM3E DRAM，标志着HBM技术有史以来最高容量的突破。HBM3E 12H采用了该公司先进的TC NCF技术，与前代产品相比，芯片的垂直密度提高了20%以上，同时也提高了产品良率。